Le SEMiX302GB12E4s incarne le plus haut standard de l'électronique de puissance moderne. Destiné aux architectures électriques exigeantes, ce module se distingue par une conception rigoureuse où chaque détail vise l'efficience énergétique globale et la pureté du signal de sortie.
Chaque élément de ce transistor a été sélectionné pour sa conductivité thermique supérieure. La base en cuivre assure un transfert immédiat des calories vers le dissipateur, maintenant le cœur de la puce à une température de fonctionnement idéale pour préserver ses propriétés semi-conductrices.
| Propriété | Spécification Électronique |
|---|---|
| Technologie | Trench Field Stop IGBT |
| Tension VCE | 1200 V |
| Intensité IC | 300 A |
| Configuration interne | Dual IGBT |
Ce module haut de gamme s'intègre naturellement au sein des projets d'ingénierie verte, notamment pour le pilotage des convertisseurs de l'énergie solaire et des grands systèmes de ventilation.
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